EUV 應用再升級，SK 海力士 1c DRAM 進展第六層

SK 海力士正加速推進 1c（第六代 10 奈米級）DRAM 技術，計劃將 EUV 曝光層數提升至第六層，再提升產品性能與良率。

目前全球三大記憶體製造商，皆在積極投資與研發 10 奈米級先進 DRAM 製程。三星號稱已成功突破第六代（1c）DRAM 的良率門檻，達到超過 50%；美光（Micron）則在發表 1γ（Gamma）先進製程後，今年 2 月已將 1γ DDR5 樣品送交英特爾（Intel）與超微（AMD）等主要客戶驗證；而 SK 海力士則在去年宣布完成 1c 製程 DDR5 的研發，領先競爭對手進入先進製程。

SK 海力士將加大 EUV 應用，主要因其波長僅 13.5 奈米，可在晶圓上刻劃更精細的電路圖案，並減少多重曝光步驟，對提升 DRAM 的密度、速度與能效具有關鍵作用。此次將 EUV 層數擴展至第六層，意味著更多關鍵製程將採用該技術，不僅有助於提升生產良率，還能實現更精細且穩定的線路製作。相較之下，美光送樣的 1γ DDR5 僅採用一層 EUV 光罩，透過減少 EUV 使用量以降低製造成本，與 SK 海力士的高層數策略形成鮮明對比。

隨著 1c 製程與 EUV 技術的不斷成熟，市場有望迎來容量更大、速度更快、能效更高的 DDR5 記憶體產品，不僅能滿足高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）伺服器及資料中心對高速記憶體的需求，亦將推動高階 PC 與工作站性能升級。同時，隨著這些應用對記憶體性能與能效要求持續攀升，DRAM 製程對 EUV 的依賴度預計將進一步提高，製造商勢必在更多關鍵層面導入該技術，以追求更高性能與更小尺寸，並推動 EUV 在先進製程中的滲透與普及。

【8 月 14 日更新】SK 海力士表示：韓國媒體 ZDNet 報導表述提及「第六層」，此訊息為事實性錯誤，正確應為「五層以上」。

• SK Hynix Reportedly Ramps 1c DRAM to Six EUV Layers, Setting the Stage for High-NA EUV Designs to Give Samsung No Chance of Competition

（首圖來源：科技新報）

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(责任编辑：小安)