DDR6 登場？預估 2027 量產導入資料中心和高階筆電

面對生成式 AI 與高效能運算（HPC）需求快速上升，記憶體領域展現出新一波升級趨勢。國際標準機構 JEDEC（固態技術協會）已於 2024 年完成 DDR6 標準制定，預計 2026 年完成驗證，並於 2027 年導入首波伺服器與 AI 平台，做為取代 DDR5 的次世代記憶體主流架構。

根據 JEDEC 公布的標準，DDR6 起始傳輸速率達 8800 MT/s，最高可達 17,600 MT/s，較 DDR5 的 4800 MT/s 提升 83%。新標準採用 4×24-bit 通道設計，取代 DDR5 的 2×32-bit 結構，不僅有效降低功耗與延遲，也進一步強化 AI 與 HPC 場景中的高頻寬與高併發效能。

為因應高速運作所需的穩定性與訊號品質，DDR6 將導入新型模組介面 CAMM2（Compression Attached Memory Module），取代傳統垂直插入式 DIMM。CAMM2 採橫向壓合式設計，具備更大接觸面積與訊號完整性，有助提升空間利用率與散熱效率，預期將在高階伺服器與筆電平台取得突破性進展。

目前，包括 Samsung、Micron 與 SK Hynix 在內的記憶體製造大廠，皆已完成 DDR6 原型晶片設計，並與 Intel、AMD、NVIDIA 等平台業者展開測試驗證。業界預期 DDR6 將於 2026 年通過 JEDEC 認證，並於 2027 年進入量產階段，成為下一世代資料中心與雲端平台的核心記憶體標準。

• DDR6 Memory Development Speeds Up With Motherboard & Module Makers Working On New Designs Including CAMM2, Eying A 2027 Release Window With 8800 MT/s Base, And 17,600 MT/s Max Speeds

（首圖為示意圖，來源：shutterstock）

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(责任编辑：辛晓琪)