SK 海力士開發並量產 321 層 2Tb QLC NAND Flash

韓國記憶體大廠SK海力士宣佈，已開發出321層2Tb的QLC NAND Flash產品，並開始量產。

SK海力士表示、NAND Flash晶片根據每個單元（Cell）可以存儲的資訊量，分為SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同規格。單元的資訊存儲容量越大，意味著單位面積內可儲存的數據越多。

SK海力士指出，公司全球率先完成300層以上的QLC NAND Flash開發，再次突破了技術極限。該產品在現有的NAND Flash產品中擁有最高的整合度，經過全球客戶公司的驗證後，計畫於2026年上半年正式進入AI數據中心市場。

SK海力士強調，公司為了最大極限的提高此次產品的成本競爭力，將其開發為與現有產品相比容量翻倍的2Tb產品。一般來說，NAND Flash容量越大，單元中儲存的資訊越多，並且記憶體管理越複雜，導致數據處理速度就越慢。為此，公司通過將NAND Flash內部可獨立運行的平面（Plane）架構從四平面擴展為六平面，從而提升了並行處理能力，緩解了因大容量導致的性能下降問題。

事實上，平面（Plane）是指可以在單一晶片內能夠獨立運行的單元和週邊電路。將其從4個增加至6個，改善了數據處理性能（Data Bandwidth）之一的同時讀取性能。因此，該產品不僅達成高容量，而且性能也較以往的QLC產品大幅提升。數據傳輸速度提高了一倍，寫入性能最多提升了56%，讀取性能也提升了18%。同時，數據寫入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI數據中心等領域也具備了更強的競爭力。

公司計畫首先在電腦端固態硬碟（PC SSD）上應用321層NAND Flash，隨後逐步擴展到面向數據中心的企業級固態硬碟（eSSD）和針對智慧型手機的嵌入式存儲（UFS）產品。此外，公司也將基於堆疊32個NAND Flash的獨有封裝技術，達到比現有高出一倍的集成度，正式進入面向AI伺服器的超高容量eSSD市場。

SK海力士NAND Flash擔當副社長鄭羽杓表示，此次產品開始量產，大幅強化了高容量存儲產品組合，同時確保了成本競爭力。為了應對迅速增長的AI需求和數據中心市場的高性能要求，我們將作為全方位針對AI的記憶體供應商（Full Stack AI Memory Provider），實現更大的飛躍。

(首圖來源：SK 海力士提供)

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(责任编辑：欧阳震华)